半导体材料的研究综述文献综述大学论文.docx

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半导体材料的研究综述文献综述大学论文

半导体研究文献综述

学院：

材料科学与工程学院

专业：

材料化学

班级：

材料122

姓名：

刘田防

学号：

2012141009

半导体材料的研究综述文献综述

摘要：

半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分应用与器件。

随着社会的进步和现代科学技术的发展，半导体材料越来越多的与现代高科技相结合，其产品更好的服务于人类改变着人类的生活及生产。

文章从半导体材料基本概念的界定、半导体材料产业的发展现状、半导体材料未来发展趋势等方面对我国近十年针对此问题的研究进行了综述，希望能引起全社会的关注和重视。

关键词：

半导体材料，研究，综述

一、该领域的研究意义

物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。

我们通常把导电性差的材料，如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。

而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。

可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。

与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。

本征半导体：

不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。

在极低温度下，半导体的价带是满带（见能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。

导带中的电子和价带中的空穴合称电子-空穴对，空穴导电并不是电子运动，但是它的运动可以将其等效为载流子。

空穴导电时等电量的电子会沿其反方向运动。

它们

在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。

这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。

导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。

复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。

在一定温度下，电子-空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。

温度升高时，将产生更多的电子-空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。

无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。

20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。

超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。

彻底改变人们的生活方式。

在此笔者主要针对半导体材料产业的发展、半导体材料的未来发展趋势等进行综述，希望引起社会的关注，并提出了切实可行的建议。

二、该领域的研究背景和发展脉络

半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。

锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓

铝砷、镓砷磷等）。

除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

半导体的分类，按照其制造技术可以分为：

集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。

此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。

此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。

这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。

半导体的这四个效应，（jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现）虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。

而总结出半导体的这四个特性 一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。

同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

陈良惠指出自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体、和绝缘体三大类。

半导体的电导率在10-3～10-9欧·厘米范围。

在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而增大，这与金属导体恰好相反。

凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。

半导体材料（semiconductormaterial）是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。

半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电导率在10（U-3）～10（U-9）欧姆/厘米范围内。

随着社会的进步以及科学技术的发展，对于半导体材料的界定会越来越精确。

三、目前研究存在的主要问题及研究展望

1、杂质：

半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。

半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。

例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢能级。

杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。

杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。

这种能提供电子载流子的杂质称为施主，相应能级称为施主能级。

施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多。

在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是杂质能级，通常位于禁带下方靠近价带处。

价带中的电子很易激发到杂质能级上填补这个空位，使杂质原子成为负离子。

价带中由于缺少一个电子而形成一个空穴载流子。

这种能提供空穴的杂质称为受主杂质。

存在受主杂质时，在价带中形成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情形要小得多。

半导体掺杂后其电阻率大大下降。

加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数增加而导致电阻率减小，半导体热敏电阻和光敏电阻就是根据此原理制成的。

对掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是导带中的电子，属电子型导电，称N型半导体。

掺入受主杂质的半导体属空穴型导电，称P型半导体。

半导体在任何温度下都能产生电子-空穴对，故N型半导体中可存在少量导电空穴，P型半导体中可存在少量导电电子，它们均称为少数载流子。

在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色。

2、掺杂物：

哪种材料适合作为某种半导体材料的掺杂物（dopant）需视两者的原子特性而定。

一般而言，掺杂物依照其带给被掺杂材料的电荷正负被区分为施主（donor）与受主（acceptor）。

施主原子带来的价电子（valenceelectrons）大多会与被掺杂的材料原子产生共价键，进而被束缚。

而没有和被掺杂材料原子产生共价键的电子则会被施主原子微弱地束缚住，这个电子又称为施主电子。

和本质半导体的价电子比起来，施主电子跃迁至传导带所需的能量较低，比较容易在半导体材料的晶格中移动，产生电流。

虽然施主电子获得能量会跃迁至传导带，但并不会和本质半导体一样留下一个电洞，施主原子在失去了电子后只会固定在半导体材料的晶格中。

因此这种因为掺杂而获得多余电子提供传导的半导体称为n型半导体（n-typesemiconductor），n代表带负电荷的电子。

和施主相对的，受主原子进入半导体晶格后，因为其价电子数目比半导体原子的价电子数量少，等效上会带来一个的空位，这个多出的空位即可视为电洞。

受主掺杂后的半导体称为p型半导体（p-typesemiconductor），p代表带正电荷的电洞。

以一个硅的本质半导体来说明掺杂的影响。

硅有四个价电子，常用于硅的掺杂物有三价与五价的元素。

当只有三个价电子的三价元素如硼（boron）掺杂至硅半导体中时，硼扮演的即是受主的角色，掺杂了硼的硅半导体就是p型半导体。

反过来说，如果五价元素如磷（phosphorus）掺杂至硅半导体时，磷扮演施主的角色，掺杂磷的硅半导体成为n型半导体。

一个半导体材料有可能先后掺杂施主与受主，而如何决定此外质半导体为n型或p型必须视掺杂后的半导体中，受主带来的电洞浓度较高或是施主带来的电子浓度较高，亦即何者为此外质半导体的“多数载子”（majoritycarrier）。

和多数载子相对的是少数载子（minoritycarrier）。

对于半导体元件的操作原理分析而言，少数载子在半导体中的行为有着非常重要的地位。

掺杂对结构的影响：

掺杂之后的半导体能带会有所改变。

依照掺杂物的不同，本质半导体的能隙之间会出现不同的能阶。

施主原子会在靠近传导带的地方产生一个新的能阶，而受主原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。

假设掺杂硼原子进入硅，则因为硼的能阶到硅的价带之间仅有0.045电子伏特，远小于硅本身的能隙1.12电子伏特，所以在室温下就可以使掺杂到硅里的硼原子完全解离化（ionize）。

掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。

在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值，这个特性会引出很多其他有用的电特性。

举例来说，一个p-n接面（p-njunction）的能带会弯折，起因是原本p型半导体和n型半导体的费米能阶位置各不相同，但是形成p-n接面后其费米能阶必须保持在同样的高度，造成无论是p型或是n型半导体的传导带或价带都会被弯曲以配合接面处的能带差异。

上述的效应可以用能带图（banddiagram）来解释，。

在能带图里横轴代表位置，纵轴则是能量。

图中也有费米能阶，半导体的本质费米能阶（intrinsicFermilevel）通常以Ei来表示。

在解释半导体元件的行为时，能带图是非常有用的工具。

半导体材料的制造：

为了满足量产上的需求，半导体的电性必须是可预测并且稳定的，因此包括掺杂物的纯度以及半导体晶格结构的品质都必须严格要求。

常见的品质问题包括晶格的错位（dislocation）、双晶面（twins），或是堆栈错误（stackingfault）都会影响半导体材料的特性。

对于一个半导体元件而言，材料晶格的缺陷通常是影响元件性能的主因。

目前用来成长高纯度单晶半导体材料最常见的方法称为裘可拉斯基制程（Czochralskiprocess）。

这种制程将一个单晶的晶种（seed）放入溶解的同材质液体中，再以旋转的方式缓缓向上拉起。

在晶种被拉起时，溶质将会沿着固体和液体的接口固化，而旋转则可让溶质的温度均匀。

王占国指出中国半导体产业市场需求强劲，市场规模的增速远高于全球平均水平。

不过，产业规模的扩大和市场的繁荣并不表明国内企业分得的份额更大。

相反，中国的半导体市场正日益成为外资公司的乐土。

朱黎辉说基于市场需求和产业转移，我们判断半导体行业在国内有很大的增长潜力。

之所以这样说，主要是基于国家政策的支持，中国半导体产业离不开国家政策的支持。

市场需求巨大。

计算机、通讯、消费类电子产品的需求带动半导体的需求。

国际产能转移，芯片制造的封装测试的产能转移比较明显，国际大工厂纷纷在国内设立工厂，或者把生产线交给国内公司制造。

王占国说我国半导体产业快速发展，产业逐步完善。

半导体产业经过长期发展，已经建立起基本的产业结构。

近几年的加速发展缩短了与国外先进技术的差距。

美国是半导体技术的发源地，但20世纪80年代美国作为半导体的主要生产在全球的地位大幅度下降。

为了应对这种状况，美国政府以巨大的国防支出来资助半导体业的研发。

技术是半导体行业的立足之本，这个行业的技术更新速度迅速。

国内外半导体公司的展面临强大的压力，生存环境堪忧。

一些学者在分析、总结的基础上提出了一些建议。

中国应采取更加优惠的政策、形成良好的投资环境吸引更多的资金流入到中国半导体产业。

凌玲说在短期内，可以借鉴走引进、消化、吸收、赶超的路子，重点发展市场需求大的半导体适用技术和产品，通过技术改造、资本积累和市场开拓的互动实现半导体产业水平的滚动发展。

王彦指出中国半导体产业的发展与突破，人才是关键因素。

目前我国半导体产业最缺乏的就是人才，既包括技术人员，也包括半导体企业有经验的中高阶层主管。

半导体产业会在优惠政策及便利的条件下朝着更快、更前的方向发展。

四、本文研究目的及主要内容

 InSb 是一种具有闪锌矿结构的半导体材料，还材料具有较窄的禁宽度和较高的电子迁移率，被广泛应用于光电原件、磁阻元件及晶体管结之中。

光纤放大器是光纤通信发展史上的一个重要里程碑，它能够延长通信系统距离、扩大用户分配间的覆盖范围。

而浙适波耦合半导体量子点光纤放大器将比传统的光纤放大器更具有重要的实际意义和应用价值。

郑东梅指出GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大、临界击穿电压高和介电常数小等特点，在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。

硅材料仍将是制造集成电路的主要材料，硅半导体器件和集成电路仍将是大生产的主流产品。

适应大直径、细线条、铜工艺将成为半导体设备发展面临的核心技术挑战。

综上所述，诸多学者对当前半导体材料的现状、发展趋势等进行了多层次、多角度的探讨。

通过对这些文献的研究分析，我们可以看出，半导体材料是一项发展前景很好的产业。

因而我们有必要进行更深入的研究。

特别是在半导体材料的发展趋势上，我们仍需进行更深层次的探索。

参考文献：

[1]陈良惠.量子阱光电子器件的发展与中国光电子器件产业的形成

[J].中国工1999,（03） 

[2]李双美,朱晓萍,高宏.21世纪微电子技术的发展趋势与展望

[J].沈阳电力高等专科学校学报, 2002,（03） 

[3]王占国.半导体材料研究的新进展

[J].半导体技术,2002,（03） . 

[4]朱黎辉.国内外半导体硅材料与技术的发展近况

[J].中国建设动态（阳源）,2007,（04） 

[5]纪磊.摩尔定律的困难与前景——从摩尔第二定律谈起

[J].技导报,2006,（07）. 

[6]王占国.半导体材料研究的新进展（续）